大功率雪崩耐量測試系統
概述：
系統概述：
半導體分立器件作為在電力電子行業中應用最為廣泛的基礎元件，其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電
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系統概述：
半導體分立器件作為在電力電子行業中應用最為廣泛的基礎元件，其性能表現對整個電子電路系統來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓 時的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸 出短路時，初級中會產生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些 電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產生極大的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
該測試系統主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達 2000J。測試的電壓和電 流波形同時被采集到示波器，并由示波器與工控機直接通訊，將采集數據傳輸給計算機，計算機經過處理后，將測試數據以 EXCEL 表格形式顯示并進行最終 的編輯和打印,同時可觀測雪崩波形。設備可滿足各種封裝形式的功率模塊測試需求，并預留電壓電流擴展功能。
功能指標：
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配置 |
測試范圍 |
測試參數 |
條件 |
范圍 |
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電壓 |
IGBTs |
EAS/單脈沖雪崩能量 |
VCE |
20V～4500V |
20~100V±3%±1V |
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電流 |
MOSFETs |
EAR/重復脈沖雪崩能量 |
Ic |
1mA～200A |
1mA～100mA±3%±0.1mA |
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DIODEs |
IAS/單脈沖雪崩電流 |
Ea |
1J～2000J |
1J～100J±3%±1J |
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PAS/單脈沖雪崩功率 |
IC檢測 |
50mV/A（取決于傳感器） |
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感性負載 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、 |
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重復間隙時間 |
1~60s可調（步進1s） 重復次數：1~50次 |
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