科研院所專用高溫阻斷測試系統 

系統概述：

      交流阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規定的時間，從而對器件進行質量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。
      一般情況下，此項試驗是對器件在結溫（Tjm ℃）和規定的交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規定時間的試驗，并根據抽樣理論和失效判定依據，確認是否通過， 同時獲取相關試驗數據。
      該系統符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC標準試驗要求。可供半導體器件配以適當的溫度可控裝置，作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。

漏電流保護回路：

      在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當試品在試驗期內發生劣化或突然擊穿或轉折，保險絲將熔斷，設備面板上的相應工位的氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。

試驗電壓保護回路：

      試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電壓設定值比較，當試驗電壓高于電壓保護設定值時，過壓報警器響，同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。

高壓回路：

      由電源開關、控制繼電器、自藕調壓器、高壓變壓器、波形變換電路組成，產生規定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。

               技術指標：