發射極之間選購指南

IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOSFET截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。深圳回收IGBT模塊，廣州回收IGBT模塊，東莞回收IGBT模塊，中山回收IGBT模塊，珠海回收IGBT模塊，回收英飛凌IGBT模塊，回收PLC,回收AB，回收ABB模塊，電話13510249904劉生QQ765094574 由此可知,IGBT的安全可靠與否主要由以下因素......

13510249905 劉生

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