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所有分類(lèi)下結(jié)果三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
[中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術(shù)有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的性?xún)r(jià)比有條件接受客戶(hù)定制
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三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
[中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品高一個(gè)等級(jí)外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過(guò)調(diào)整底板和
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三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
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三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊
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三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶(hù)定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來(lái)：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品
續(xù)流二極管：超高速恢復(fù)特性，極低拖尾電流
開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
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西門(mén)康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產(chǎn) 品 型 號(hào) 參 數(shù) 說(shuō) 明
SKM145GAL176D 1單元，140A/1700V
SKM200GB176D 2單元，200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元，200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元，400A
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西門(mén)康IGBT模塊SKM200GAL125D SKM400GAL125D SKM800GA125D S
[中介]超高速型頻率30KHZ系列
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